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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2023年11月27日 化学机械研磨 (CMP)，全名Chemical Mechanical Polishing或Chemical Mechanical Planarization，是一种全局平坦化工艺，几乎每一座晶圆厂都会用到，在现代
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4 天之前 表面机械研磨处理（SMAT）是近年来开发 的一种用于增强合金机械性能的工艺。. 该工 艺主要是指通过驱动许多小球冲击样品表 面，使样品表面形成一层纳米晶，同时细
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化学机械磨削能通过化学-机械协同过程实现单晶硅、石英玻璃等硬脆材料的超精密高质低损加工，被广泛应用于半导体以及光学等领域器件的平坦化加工。 在综述化学机械磨削技
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金属材料表面机械研磨技术机理及研究现状. 来自 百度文库. 喜欢 0. 阅读量： 390. 作者： 张辉 ， 宫梦莹. 摘要： 介绍了表面机械研磨处理 (简称SMAT)技术.选取了几种不同的金属
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2021年2月8日 耐驰集团旗下事业部 研磨 分散 凭借创新的材料工艺和技术方案，耐驰为客户提供研磨分散设备和工艺支持，一起推动世界的可持续发展。我们是世界范围内干、湿法研磨技术领域中的主导厂家之一，我们拥有丰富的技术知识及完整的从实验室规模到工业生产，乃至整个生产线的解决方案。
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2019年1月17日 泊头鸿信德机械的颜秉君等人研究了压嵌砂平面干研磨技术。 他们的研究使研磨加工的领域更加广泛，研磨技术更加完善。 研磨加工后的工件表面精度及质量对其使用性能影响很大，因此有人研究了研磨加工对工件已加工表面精度及质量，甚至使用性能的影响，以保证研磨加工效果。
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化学机械磨削能通过化学-机械协同过程实现单晶硅、石英玻璃等硬脆材料的超精密高质低损加工，被广泛应用于半导体以及光学等领域器件的平坦化加工。在综述化学机械磨削技术材料去除机理、磨削工艺以及复合加工工艺等方面研究现状的基础上，对上述研究现阶段存在的问题进行了分析讨论。
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2020年4月12日 与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/ 纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得以进行。CMP的主要工作原理是在一定压力 ...
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化学机械研磨终点检测专利技术综述. 化学机械抛光 (chemical mechanical polishing, CMP)技术是目前集成电路制造中制备多层铜互连结构不可或缺的关键技术之一.在应用CMP技术去除多余材料时,能准确判断CMP过程中何时达到理想临界状态的终点检测技术,是保证既不"欠抛 ...
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斯达利研磨技术有限公司是瑞士精工机械行业知名的家族企业。多年以来，公司致力于研究和生产珩磨、研磨、抛光类的精工机械。我们的核心业务包括机械制造、定制加工以及耗材供应。 斯达利集团的总部位于瑞士皮尔特兰（Pieterlen/Biel, Switzerland），所有斯达利品牌精工机器均在此研发生产，无 ...
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2023年7月31日 晶圆减薄的四种减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。. （1）机械研磨. （2）化学机械平面化. （3）湿法蚀刻. （4）等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE）. 研磨是将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄
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深圳市方达研磨技术有限公司创建于2007年，位于光明新区宝塘工业园，是一家专业从事各种高精密研磨设备、抛光设备及其配套产品和消耗材料的高新企业。本公司集研发设计、生产制造、销售和售后服务于一体，其产品广泛适用于光学玻璃镜片、手机零部件、LED蓝宝石、模具、各种通讯电子产品 ...
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2020年5月17日 CMP 材料 CMP 材料概况 化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键技术。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP 工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶元表面微米 ...
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研磨是将研磨工具(以下简称研具)表面嵌人磨料或敷涂磨料并添加润滑剂,在一定的压力作用下，使工件和研具接触并做相对运动，通过磨料作用，从工件表面切去一层极薄的切屑，使工件具有精确的尺寸、准确的几何形状和很高的表面粗糙度，这种对工件表面进行最终精密加工的方法，叫做研磨 ...
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2018年10月1日 采用表面机械研磨技术在低碳钢上制备出纳米结构表层，利用X射线衍射和电子显微分析研究表层的结构特征，并对硬度沿厚度方向的变化进行分析。 3. A low carbon steel plate was treated by surface mechanical attrition (SMA) and its surface layer structure was analyzed by using XRD and TEM.
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2018年2月25日 摘要: 综述了机械合金化、机械研磨以及机械涂覆三种机械球磨技术在材料制备领域中的应用和作用机理，讨论了三种机械球磨技术在材料制备中的优势与弊端，展望了该技术的今后发展方向。. Abstract: The application and mechanism of mechanical ball-milling technology in material ...
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2014年4月13日 2012，35（3）：127—131．化学机械研磨废水处理及回用技术 的研究进展罗助强，王峰，杨海真（同济大学污染控制与资源化研究国家重点实验室，上海200092）摘要：化学机械研磨废水产生量大但总体污染物浓度不高，回用潜力 ...
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2024年2月4日 碳化硅晶片的化学机械抛光技术（CMP）是一种先进的表面处理技术，结合化学腐蚀和机械研磨的方法，通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备，实现对碳化硅晶片表面的精细处理，达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。
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2021年12月4日 School of Engineering Science, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China. 采用表面机械研磨 (SMAT) 技术在S31254超级奥氏体不锈钢表面制备得到了梯度结构,通过微结构分析及电化学实验方法,对梯度结构进行详细表征并研究其不同层深处的腐蚀行为。. 结果表明 ...
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4.2 晶片化学机械研磨技术未来发展方向 从现有技术的分析来看,固结磨料化学机械研磨,FA-CMP,将成为未来集成电路 芯片加工的主要技术,该技术与游离磨料化学机械研磨相比具有研磨效率高,研磨垫变形小,研磨具有选择性、减少磨料用量,便于清洗等优点。
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2023年8月2日 减薄晶圆的机械背面研磨是常用的减薄方法之一，其基本流程包括以下几个步骤： 1. 选取研磨机和研磨轮 选择适用的研磨机和研磨轮是首要任务。 一般选取刚性较好的研磨机，研磨轮的种类较多，如金刚石砂轮、绿碳化硅砂轮等，需要根据晶圆材料的不同而选择不同的砂轮。
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2021年11月24日 2.晶片化学机械研磨技术的国内外发展概况. 2.1 国外发展历程. CMP技术在半导体工业的首次应用始于1988年，由IBM将其应用于4MDRAM的制造中，该公司也于1992年申请了晶片CMP技术的第一份专利。. 在此之后，经过不断的技术发展，CMP技术在全球范围内有较广泛的技术 ...
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2024年2月21日 本文介绍了 半导体 研磨方法中的化学 机械 研磨抛光CMP技术。. 1、化学研磨抛光CMP技术. CMP 设备通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。. 目前 集成电路 组件普遍采用多层立体布线，集成电路
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2016年4月26日 V01．28 Supplement Sep．，2007. ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究. 周建伟’ 刘玉岭张伟. (河北工业大学微电子研究所，天津300130) 摘要：通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析，总结了影响硅片表面质量的主要影响因 素，提出了将化学机械 ...
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