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2023年2月15日 摘要. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新
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2023年4月26日 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能. 1.1. 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈. 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体器件和集成电路
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2022年4月11日 碳化硅外延层的制备方法主要有：蒸发生长法；液相外延生长（LPE）；分子束外延生长（MBE）;化学气相沉积（CVD）。 这里对这几种制备方法做了一个基本的
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2022年5月9日 《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》全书-电子发烧友网. 深圳市致知行科技有限公司 • 2022-05-09 17:19 • 次阅读. 第1章导论. 1.1 电子 学的进展.
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2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍
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2 天之前 几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。 大电流、高可
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2023年5月4日 本词条由 中国科学院化学研究所、中国科学院大学化学科学学院 参与编辑并审核 ，经 科普中国科学百科 认证 。. 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英
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2023年8月23日 碳化硅亦被广泛运用在其他电力设备中. 中国碳化硅功率器件应用市场规模飞速增长，从2017年的18.5亿元增长至2021年的71.1亿元，CARG达 40.01%。. 鉴于碳化硅材料在高电压下的优良性能，碳化硅材料在新能源汽车、光伏逆变器等产业都有极为理想 的应用前景。. 截至 ...
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2021年1月7日 另一方面，碳化硅属于单极性器件，因此碳化硅芯片的并联数量越多，其总导通损耗越低，并可因此提高电控的效率。. 所以，选择芯片并联数量时，除了最高结温限制了最大输出功率，还必须考虑它对于系
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换热设备碳化硅换热器设备工艺原理- 在设备运行过程中，一些问题可能会导致设备闲置或热传导效率下降。必须定期对设备进行检测，以确保其正常运行和高效换热。可以通过检测管壁温度、内外流体的流量和温度等参数来判断设备的状态。结论碳化硅 ...
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碳化硅冷凝器设备工艺原理-8.附着性强：碳化硅陶瓷管表面具有多孔性，表面积较大，附着性强，能够有效地捕集和附着烟气中的有害气体。9. 清洗方便：碳化硅陶瓷管表面附着物可通过自动控制系统进行清洗，提高设备稳定性和使用寿命。应用领域 ...
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碳化硅机械密封的工艺原理. 碳化硅机械密封利用静环和动环之间的摩擦力来达到密封效果。. 当机械密封处于运转状态时，密封面之间产生摩擦，生成一定的摩擦热。. 同时，因介质的压力作用，密封圈受到一定的压力，将两个密封面挤紧在一起，从而加强了 ...
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2023年10月30日 碳化硅（SIC）晶体生长方法之——化学气相沉积法的详解；. 爱在七夕时 . 东莞南方半导体科技有限公司 品质主管. 一、化学气相沉积（CVD）. 1.原理：化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态 ...
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碳化硅部件（CVD-SiC）. 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品. 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。. 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的 ...
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2023年7月14日 1 )半导体大硅片设备:8+12 寸产品线全面布局,逐步实现国产化突破。. 公司在晶体生长、切片、抛光、CVD 等环节已实现8 英寸设备全覆盖,12英寸长晶、切片、研磨、抛光等设备已实现批量销售,设备性能达到国际先进水平。. 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化
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2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...
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2021年1月19日 成果介绍. 依据团队具备的经验和技术，团队的碳化硅外延炉主要采取主流的横向热壁技术方案，重要的技术指标将对标被国内广泛认可的意大利 LPE 碳化硅外延设备。. 其指标包括将外延材料的厚度不均匀性降至 1% ；缺陷密度降至 0.5/cm -2 ；原料利用率上提升 30% ...
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2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...
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自 1997 年推出 Candela 光学表面分析仪 (OSA) 以来，我们的技术专家一直在为化合物半导体和数据存储市场做出缺陷检测灵敏度和分类方面的关键技术创新。. 在每个新产品发布时，我们的检测技术均会为其提供性能方面
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2023年7月14日 1 )半导体大硅片设备:8+12 寸产品线全面布局,逐步实现国产化突破。. 公司在晶体生长、切片、抛光、CVD 等环节已实现8 英寸设备全覆盖,12英寸长晶、切片、研磨、抛光等设备已实现批量销售,设备性能达到国际先进水平。. 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化
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2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 37143人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 还有2页，登录查看全文. 推荐 6. 作者：山川.
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1 天前 三代半专题: 激光退火技术助力第三代半导体SiC产业发展. 作者 808, ab. 7月 28, 2023. 碳化硅 (SiC)材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高击穿电场等特性决定了其在高温、大功率领域的巨大潜力。为使SiC材料的性能得到充分发挥, 需解决的一个关键
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2021年6月11日 本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、 研究进展和产业化现状， 提出了未来努力的方向和解决的方案， 并展望了其未来的发展趋势和应用前景。. 1 碳化硅的制备方法. 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率
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2024年1月19日 一. 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工作原理类似于传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。主要由以下三个部分组成： 栅极（Gate）： 栅极是用于控制MOSFET导通的
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2023年7月7日 PVT法碳化硅长晶设备有两种加热方式，即感应加热法和电阻加热法。感应加热法是目前国内外生长SiC晶体的主流工艺，其原理 是使石墨坩埚产生涡流发热，给包括坩埚在内的整个热场加热，坩埚是温度最高的部件。电阻加热法是未来生长大尺寸SiC ...
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2024年4月1日 据“行家说三代半”了解，西湖仪器在碳化硅衬底激光剥离技术上实现了突破，并且成功开发了整套碳化硅衬底激光剥离设备，可直接投入生产，为碳化硅衬底的生产提供了新型高效的解决方案。. 要想详细关于西湖仪器的碳化硅衬底激光剥离技术等 ...
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2023年5月19日 碳化硅衬底的表面缺陷有表面颗粒、划痕和晶格缺陷等，主要采用碳化硅晶圆缺陷系统测试。. 测量原理：. 利用激光在衬底表面的散射，可以分析衬底表面上的颗粒大小和缺陷形态，通过激光对衬底表面的面扫描，可以获得衬底上颗粒和缺陷的面分布情况，同
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