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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...
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2020年3月24日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体，实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳化
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2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2的
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研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度98.42%,中位粒径为0.404μm的微纳米粉体材料,比表面积由0.8879m~2/g提高到8.0321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯
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2023年10月27日 研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999% 。在众多杂质
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摘要： 某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D500.8μm,对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格,通过选矿和化学处理方法可使其杂质含量达到标准需求,超细磨前利用
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碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC),六方晶系又因其结晶排列的周期性不[简介]:本技术提供一种利用晶硅切割废砂浆资源化回收过程中的尾砂料制备大粒径硅溶
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2013年3月14日 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为原
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2023年12月20日 本发明涉及超细粉末生产，具体涉及一种超细碳化硅粉末的制备方法。背景技术： 1、碳化硅由于其较高的机械强度、硬度、导热性、以及优良的抗腐蚀性、抗热震性、半导体性能等优点，是许多工业环境中应用最广泛的非氧化物陶瓷材料，其应用包括独立的组装部件，以及在薄层沉积物和复合材料 ...
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纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分1.1仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。
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2023年11月23日 对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。. 近年来，随着科研工作者对纳米粉体改性的深入研究，表面改性呈现多样化，概括地说来主要分为
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2023年2月21日 当前，国产高纯石英砂、超细石英粉普遍存在“磨不细、混不均、分不散、提不纯”行业痼疾，在高品质超细石英粉、高纯石英砂为原料的高附加值石英产品生产中，原料严重依赖国外进口。. 例如，近年来由于新能源、太阳能、光伏、电池行业需求大爆发，拉 ...
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杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J] ...
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2023年12月30日 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法.pdf 2023-12-30 上传 暂无简介 文档格式：.pdf 文档大小： 362.47K 文档页数： 7 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料 ...
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2011年3月22日 碳化硅含量的测定综述.pdf. 碳化硅熔点高，耐高温，有较高的强度和耐磨性好，化学性质稳定，耐腐蚀，可用于制造磨料、磨具、硅碳棒，特种耐火材料的填加料等，国内外市场需求量较大。. 碳化硅含量是衡量产品质量的一项重要指标，现将各类碳化硅含量的 ...
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2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ...
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2021年12月4日 那半导体领域用的碳化硅价格是多少呢？. 据了解，用于单晶生长的碳化硅微粉价格为 2000～12000元/kg ，注意，其价格单位是 元每千克 。. 单晶生长用碳化硅为何有如此天价？. 据了解，生长单晶用 碳化硅粉 体的粒径约为300～500μm，粒度要求不是很高，
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2019年4月16日 碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。. 主要目的是除去表面的游离硅，二氧化硅等物质，这样可以提高碳化硅的含量。. 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？. 有两种方法：化学除铁法和物理触铁法，下
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2013年12月25日 61《现代仪器》2011年第6期第17卷总97期分析测试本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移，用碰撞反应技术消除多原子离子干扰，通过实验确..
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2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。. 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热
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2021年1月29日 碳化硅晶舟（SIC BOAT）、陶瓷晶舟如何做到99.99%的高纯度？. 西安中威（ZHWE）®系列碳化硅陶瓷晶舟,SIC晶舟，陶瓷晶舟纯度 >99.975% 使用寿命长>5年 ， 主要应用于太阳能、半导体扩散制程。. 具有耐磨损、耐腐蚀、耐高温冲击，耐电浆轰击、高温承载力大、高导热 ...
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2023年12月6日 2.1 大尺寸薄壁碳化硅热交换管材制造技术( 重大攻关方向) 研究内容: 针对化工行业急需的耐腐蚀、 耐高温、耐高压的碳化硅陶瓷热交换管材的制造技术为国外垄断的现状,通过研究大尺寸陶瓷管材专用粉体、 成型和烧结过程中密度梯度和温度场梯度控制技术 ...
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摘要：. 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响.结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是 ...
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2013年3月14日 反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。. 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。. 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性 ...
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2020年3月24日 W.Z.Zhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC ... 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于0.5×10-6的SiC粉
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2021年1月30日 1）锂电池三元材料烧结：无压烧结碳化硅辊棒，常压烧结碳化硅陶瓷辊棒强度高、使用温度高，耐强酸耐强碱腐蚀，由于在超高温(2400℃)下煅烧，不含可溶性的酸碱成分； 2）碳化硅陶瓷晶舟：碳化硅纯度＞99%，金属杂质少，用于半导体配件； 3）碳化硅热
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